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小面积电子抹除式可复写只读存储器阵列

小面积电子抹除式可复写只读存储器阵列

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  • 商品货号:INFOEACH_10
  • 商品品牌:中国发明专利
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资料描述

【申请号】: CN201010254438.4
【申请日】: 2010-08-11
【公开号】: CN102376720A
【公开日】: 2012-03-14
【申请人】: 亿而得微电子股份有限公司
【地址】: 中国台湾新竹县
【共同申请人】:
【发明人】: 林信章;戴家豪;叶仰森;杨明苍;范雅婷
【国际申请】:
【国际公布】:
【进入国家日期】:
【专利代理机构】: 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139
【代理人】: 孙皓晨
【分案原申请号】:
【国省代码】: 71
【摘要】: 本发明提供了一种小面积电子抹除式可复写只读存储器阵列,包含多条平行的位元线、字线与共源线,此多条位元线区分为多组位元线,其包含一第一组、第二组位元线,字线包含一第一字线,共源线包含一第一共源线。另有多子存储器阵列,每一子存储器阵列包含与两组位元线、一字线与一共源线连接的一第一、第二、第三、第四存储晶胞,其中第一、第二存储晶胞对称配置,第三、第四存储晶胞对称配置,且第一、第二存储晶胞与第三、第四存储晶胞以第一共源线分别对称配置。本发明可大幅降低面积成本,并达到位元组写入(byte?write)的功能。
【主权项】: 一种小面积电子抹除式可复写只读存储器阵列,其特征在于,包含多条平行的位元线、多条平行的字线、多条平行的共源线和多子存储器阵列,其中:该多条平行的位元线,其区分为多组位元线,该多组位元线包含一第一组位元线与一第二组位元线;该多条平行的字线,其与该多条位元线互相垂直,并包含一第一字线;该多条平行的共源线,与该多条字线互相平行,并包含一第一共源线;以及该多子存储器阵列,每一该子存储器阵列连接两组该位元线、一该字线与一该共源线,每一该子存储器阵列包含一第一存储晶胞、一第二存储晶胞、一第三存储晶胞和一第四存储晶胞,其中:该第一存储晶胞,其连接该第一组位元线、该第一共源线与该第一字线;该第二存储晶胞,其连接该第二组位元线、该第一共源线与该第一字线,该第一晶胞和该第二存储晶胞互相对称配置,并位于该第一共源线的同一侧;该第三存储晶胞,其连接该第一组位元线、该第一共源线与该第一字线,并以该第一共源线为轴与该第一存储晶胞对称配置;以及该第四存储晶胞,其连接该第二组位元线、该第一共源线与该第一字线,并以该第一共源线为轴与该第二存储晶胞对称配置,又该第三存储晶胞和该第四存储晶胞互相对称配置,且与该第一存储晶胞和该第二存储晶胞位于该第一共源线的相异两侧。
【页数】: 21
【主分类号】: H01L27/115
【专利分类号】: H01L27/115

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