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MTP器件的单元结构

MTP器件的单元结构

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  • 商品货号:INFOEACH_11
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资料描述

【申请号】: CN201010251562.5
【申请日】: 2010-08-12
【公开号】: CN102376719A
【公开日】: 2012-03-14
【申请人】: 上海华虹NEC电子有限公司
【地址】: 201206 上海市浦东新区川桥路1188号
【共同申请人】:
【发明人】: 胡晓明
【国际申请】:
【国际公布】:
【进入国家日期】:
【专利代理机构】: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211
【代理人】: 丁纪铁
【分案原申请号】:
【国省代码】: 31
【摘要】: 本发明公开了一种MTP器件的单元结构,包括选择晶体管、编程晶体管和擦除电容;所述选择晶体管和编程晶体管位于同一个n阱中;所述选择晶体管的源极作为漏端,选择晶体管的栅极作为选择端,选择晶体管的漏极与编程晶体管的源极相连接;所述编程晶体管的栅极延伸出去成为浮栅,该浮栅作为擦除电容的下极板,编程晶体管的漏极与所述n阱相连接作为编程端;擦除电容的上极板为金属,擦除电容的上极板作为擦除端。本发明可以显著缩小MTP器件的单元结构的版图面积,并显著提高擦除电压,从而提高擦除速度,减少误编程。
【主权项】: 一种MTP器件的单元结构,其特征是,包括选择晶体管、编程晶体管和擦除电容;所述选择晶体管和编程晶体管位于同一个n阱中;所述选择晶体管的源极作为漏端,选择晶体管的栅极作为选择端,选择晶体管的漏极与编程晶体管的源极相连接;所述编程晶体管的栅极延伸出去成为浮栅,该浮栅作为擦除电容的下极板,编程晶体管的漏极与所述n阱相连接作为编程端;擦除电容的上极板为金属,擦除电容的上极板作为擦除端。
【页数】: 9
【主分类号】: H01L27/115
【专利分类号】: H01L27/115;H01L29/06;H01L29/41

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