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一种硅通孔金属互联线电迁移测试结构

一种硅通孔金属互联线电迁移测试结构

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资料描述

【申请号】: CN201110321630.5
【申请日】: 2011-10-21
【公开号】: CN102386169A
【公开日】: 2012-03-21
【申请人】: 华中科技大学
【地址】: 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
【共同申请人】:
【发明人】: 刘胜;汪学方;吕植成;袁娇娇;宋斌;杨亮
【国际申请】:
【国际公布】:
【进入国家日期】:
【专利代理机构】: 华中科技大学专利中心 42201
【代理人】: 李智
【分案原申请号】:
【国省代码】: 42
【摘要】: 本发明公开了一种硅通孔金属互联线的电迁移测试结构,包括硅片,硅片上分布有多个硅通孔单元,所述硅通孔单元包括三个硅通孔,第一、二、三硅通孔通过硅片反面金属层相连,第二硅通孔与后继相邻硅通孔单元的第一硅通孔通过硅片正面金属层相连,四探针的一个测头置于第三硅通孔正面端口处,另一测头置于硅片上与第一硅通孔通过正面金属层相连的位置处。本发明可在一个硅片上测试多种规格的硅通孔金属互联线的电迁移性能,并且在测试过程中可以将串联中的某些试样切除进行截面分析而不影响其他剩余试样的继续测试,具有测试成本低,操作便捷,测试效率高的特点。
【主权项】: 一种硅通孔金属互联线的电迁移测试结构,包括硅片,其特征在于,在硅片上分布有多个硅通孔单元,所述硅通孔单元包括三个硅通孔,第一、二、三硅通孔通过硅片反面金属层相连,第二硅通孔与后继相邻硅通孔单元的第一硅通孔通过硅片正面金属层相连,四探针的一个测头置于第三硅通孔正面端口处,另一测头置于硅片上与第一硅通孔通过正面金属层相连的位置处。
【页数】: 8
【主分类号】: H01L23/544
【专利分类号】: H01L23/544;G01R31/28

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