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半导体器件及其制造方法

半导体器件及其制造方法

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  • 商品货号:INFOEACH_23
  • 商品品牌:中国发明专利
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资料描述

【申请号】: CN201110248114.4
【申请日】: 2011-08-26
【公开号】: CN102386189A
【公开日】: 2012-03-21
【申请人】: 海力士半导体有限公司
【地址】: 韩国京畿道
【共同申请人】:
【发明人】: 郑永均
【国际申请】:
【国际公布】:
【进入国家日期】:
【专利代理机构】: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363
【代理人】: 郭放;许伟群
【分案原申请号】:
【国省代码】: KR
【摘要】: 本发明公开了一种半导体器件,包括:形成在衬底之上的管道沟道层;形成在管道沟道层之上以将管道沟道层与位线相耦接的第一垂直沟道层;形成在管道沟道层之上以将管道沟道层与源极线相耦接的第二垂直沟道层;包括电荷陷阱层且形成为包围第一垂直沟道层、第二垂直沟道层和管道沟道层的多层;形成为包围所述多层的绝缘屏障层;形成在管道沟道层与位线之间的多个第一导电层,其中所述第一垂直沟道层贯穿第一导电层;以及形成在管道沟道层与源极线之间的多个第二导电层,其中所述第二垂直沟道层贯穿第二导电层。
【主权项】: 一种存储器件,包括:管道沟道层,所述管道沟道层形成在衬底之上;第一垂直沟道层,所述第一垂直沟道层形成在所述管道沟道层之上,以将所述管道沟道层与位线相耦接;第二垂直沟道层,所述第二垂直沟道层形成在所述管道沟道层之上,以将所述管道沟道层与源极线相耦接;包括电荷陷阱层的多层,所述多层形成为包围所述第一垂直沟道层、所述第二垂直沟道层和所述管道沟道层;绝缘屏障层,所述绝缘屏障层形成为包围所述多层;多个第一导电层,所述多个第一导电层形成在所述管道沟道层与所述位线之间,其中所述第一垂直沟道层贯穿所述第一导电层;以及多个第二导电层,所述多个第二导电层形成在所述管道沟道层与所述源极线之间,其中所述第二垂直沟道层贯穿所述第二导电层。
【页数】: 36
【主分类号】: H01L27/115
【专利分类号】: H01L27/115;H01L21/8247

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