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具有二极管于存储串行中的三维阵列存储器架构

具有二极管于存储串行中的三维阵列存储器架构

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资料描述

【申请号】: CN201110189096.7
【申请日】: 2011-06-30
【公开号】: CN102386188A
【公开日】: 2012-03-21
【申请人】: 旺宏电子股份有限公司
【地址】: 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
【共同申请人】:
【发明人】: 洪俊雄;沈欣彰;吕函庭
【国际申请】:
【国际公布】:
【进入国家日期】:
【专利代理机构】: 中科专利商标代理有限责任公司 11021
【代理人】: 周国城
【分案原申请号】:
【国省代码】: 71
【摘要】: 本发明公开了具有二极管于存储串行中的三维阵列存储器架构。此处所描述的一种三维存储装置,包含多个长条半导体材料所形成的山脊状叠层且由绝缘层分隔,安排成串行而通过译码电路与感测放大器耦接。二极管在此串行的串行选择端或是共同源极选择端与位线结构耦接。长条半导体材料具有侧表面于山脊状叠层的侧面。多条导线安排成字线且与列译码器耦接,正交延伸于该多个山脊状叠层之上。存储元件位于多层阵列的交会区域,其介于叠层中的该长条半导体材料侧表面与该多条导线之间。
【主权项】: 一种存储装置,包含:一集成电路基板;多个长条半导体材料叠层延伸出该集成电路基板,该多个叠层具有山脊状且包括至少两个长条半导体材料由绝缘层分隔而成为多个平面位置中的不同平面位置;多条字线安排成正交于该多个叠层之上,且具有与该多个叠层顺形的表面,如此于该多个叠层与该多条字线表面的交会点建立一个三维阵列的交会区域;存储元件于该交会区域,其经由该多个长条半导体材料与该多条字线建立可存取的该三维阵列的存储单元,该存储元件安排成串行介于位线结构与源极线之间;以及二极管与该串行耦接,介于存储单元串行与位线结构及源极线其中一者之间。
【页数】: 59
【主分类号】: H01L27/115
【专利分类号】: H01L27/115;G11C16/04;G11C16/10

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