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一种无电容型动态随机访问存储器结构及其制备方法

一种无电容型动态随机访问存储器结构及其制备方法

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资料描述

【申请号】: CN201010251514.6
【申请日】: 2010-08-11
【公开号】: CN102376715A
【公开日】: 2012-03-14
【申请人】: 中国科学院微电子研究所
【地址】: 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
【共同申请人】:
【发明人】: 霍宗亮;刘明
【国际申请】:
【国际公布】:
【进入国家日期】:
【专利代理机构】: 中科专利商标代理有限责任公司 11021
【代理人】: 周国城
【分案原申请号】:
【国省代码】: 11
【摘要】: 本发明公开了一种无电容型动态随机访问存储器结构及其制备方法。无电容动态随机访问存储器结构在满足高碰撞电离率所要求的高漏压的前提下,通过对源漏结区附近采用不同的栅介质材料或者栅介质厚度增大了该区域的栅介质的电学厚度,从而有效降低了垂直方向的电场,同时通过在沟道中央区域的薄的氧化层或者采用高K材料,从而提高了栅控能力并抑制了短沟道效应。该发明结构能够有效抑制栅介质退化、提高存储单元的可靠性(耐久性)、有利于器件的按比例缩小,同时该无电容结构完全避免了常规1T1C结构中的电容结构的复杂工艺。其采用的制造工艺与常规的逻辑工艺完全兼容,也有利于高密度三维的工艺集成。
【主权项】: 一种无电容型动态随机访问存储器结构,该结构由下至上依次包括衬底、空穴阻挡层、沟道、源漏区、栅介质区和栅电极,其特征在于,该结构通过在源漏结区附近采用不同的栅介质材料或者栅介质厚度,增大该区域的栅介质的电学厚度,从而有效降低垂直方向的电场,同时通过在沟道中央区域采用薄的氧化层或者采用高K材料,提高栅控能力并抑制短沟道效应。
【页数】: 13
【主分类号】: H01L27/108
【专利分类号】: H01L27/108;H01L29/423;H01L29/51;H01L21/8242

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