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半导体器件的制作方法

半导体器件的制作方法

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  • 商品货号:INFOEACH_38
  • 商品品牌:中国发明专利
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资料描述

【申请号】: CN201010257055.2
【申请日】: 2010-08-19
【公开号】: CN102376644A
【公开日】: 2012-03-14
【申请人】: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
【地址】: 201203 上海市浦东新区张江路18号
【共同申请人】:
【发明人】: 孙武;张海洋;周俊卿
【国际申请】:
【国际公布】:
【进入国家日期】:
【专利代理机构】: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018
【代理人】: 谢安昆;宋志强
【分案原申请号】:
【国省代码】: 31
【摘要】: 本发明公开了一种半导体器件的制作方法,接触孔刻蚀停止层为掺硼无定形碳、掺氟无定形碳、掺氯无定形碳或无定形碳,然后在接触孔刻蚀停止层之上沉积介质层,并对介质层进行刻蚀且停止于接触孔刻蚀停止层的上表面,形成一沟槽,最后对沟槽中的接触孔刻蚀停止层进行灰化,形成接触孔。采用本发明公开的方法能够避免刻蚀接触孔时对半导体器件造成损伤。
【主权项】: 一种半导体器件的制作方法,该方法包括:在半导体衬底内形成用于隔离P型金属氧化物半导体PMOS管和N型金属氧化物半导体NMOS管的浅沟槽隔离区STI,并在半导体衬底表面形成NMOS管和PMOS管的栅极结构;分别向PMOS管和NMOS管的栅极结构两侧的半导体衬底进行轻掺杂漏LDD注入,在PMOS管和NMOS管的栅极结构两侧形成PMOS管和NMOS管的轻掺杂漏极、PMOS管和NMOS管的轻掺杂源极;分别在PMOS管和NMOS管的栅极结构两侧形成侧壁层;分别向PMOS管和NMOS管的侧壁层两侧的半导体衬底进行离子注入,在PMOS管和NMOS管的侧壁层两侧的半导体衬底内形成PMOS管和NMOS管的轻掺杂漏极、PMOS管和NMOS管的轻掺杂源极;在半导体衬底表面、NMOS管和PMOS管的栅极结构上表面以及NMOS管和PMOS管的栅极结构两侧的侧壁层表面沉积接触孔刻蚀停止层,所述接触孔刻蚀停止层为掺硼无定形碳、掺氟无定形碳、掺氯无定形碳或无定形碳;在接触孔刻蚀停止层之上沉积介质层,并在介质层之上旋涂光阻胶PR,对PR进行曝光、显影,形成光刻图案;按照光刻图案对介质层进行刻蚀,并停止于接触孔刻蚀停止层的上表面面,形成一沟槽;对所述光刻图案和所述沟槽中的接触孔刻蚀停止层进行灰化,形成接触孔。
【页数】: 29
【主分类号】: H01L21/8238
【专利分类号】: H01L21/8238;H01L21/768

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