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一种减小辐射产生电荷收集的CMOS器件及其制备方法

一种减小辐射产生电荷收集的CMOS器件及其制备方法

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  • 商品货号:INFOEACH_44
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资料描述

【申请号】: CN201110359705.9
【申请日】: 2011-11-14
【公开号】: CN102386186A
【公开日】: 2012-03-21
【申请人】: 北京大学
【地址】: 100871 北京市海淀区颐和园路5号
【共同申请人】:
【发明人】: 黄如;谭斐;安霞;黄芊芊;杨东;张兴
【国际申请】:
【国际公布】:
【进入国家日期】:
【专利代理机构】: 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360
【代理人】: 贾晓玲
【分案原申请号】:
【国省代码】: 11
【摘要】: 本发明公开了一种减小辐射产生电荷收集的CMOS器件及其制备方法。本发明的CMOS器件在源区和漏区的正下方设置重掺杂的抑制电荷收集区,该区域的掺杂类型和源区和漏区的掺杂类型相反,且掺杂浓度不小于源区和漏区的掺杂浓度。抑制电荷收集区的横向范围略小于或者等于源区和漏区的横向范围,且向沟道的横向位置不超过源区和漏区的边缘。本发明的CMOS器件可以大大减小单粒子作用下出现的“漏斗”范围,使在电场作用下瞬时收集的电荷减小。由于耗尽层宽度变窄,在“漏斗”范围内的电子空穴对扩散至耗尽层边缘更加困难,因此敏感节点收集的电荷会大大降低,有效抑制单粒子瞬态对集成电路造成的影响。
【主权项】: 一种减小辐射产生电荷收集的CMOS器件,所述CMOS器件包括衬底、器件隔离区、栅区、源区、漏区以及LDD区,其特征在于,在所述源区和漏区的正下方设置重掺杂的抑制电荷收集区,所述抑制电荷收集区的掺杂类型与源区和漏区的掺杂类型相反。
【页数】: 9
【主分类号】: H01L27/092
【专利分类号】: H01L27/092;H01L29/08;H01L21/8238

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