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一种高低压集成的工艺器件及其制备方法

一种高低压集成的工艺器件及其制备方法

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  • 商品品牌:中国发明专利
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资料描述

【申请号】: CN201010265799.9
【申请日】: 2010-08-30
【公开号】: CN102386185A
【公开日】: 2012-03-21
【申请人】: 苏州博创集成电路设计有限公司
【地址】: 215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖林泉街399号1号楼3层
【共同申请人】:
【发明人】: 易扬波;李海松;陶平;王钦;刘侠
【国际申请】:
【国际公布】:
【进入国家日期】:
【专利代理机构】: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200
【代理人】: 楼高潮
【分案原申请号】:
【国省代码】: 32
【摘要】: 本发明公开了一种高低压集成的工艺器件及其制备方法,包括低压增强型、耗尽型N型金属氧化物半导体场效应晶体管,高压纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管和中高压增强型、耗尽型N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管构成;所述制备方法为:在N型重掺杂衬底上制作N型外延层,接着在N型外延层上制作不同的P型掺杂阱,然后在P型掺杂阱上同时制作中高压增强型、耗尽型N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的N型耐压区,最后在P型掺杂阱和N型耐压区上进行源漏注入。本发明所述工艺器件结构基于外延材料集成纵向功率器件,工艺集成度和可靠性高。
【主权项】: 一种高低压集成的工艺器件,包括:N型重掺杂衬底(1),所述N型重掺杂衬底(1)上设有N型外延层(2),所述N型外延层(2)上设有低压增强型N型金属氧化物半导体场效应晶体管(35)、低压耗尽型N型金属氧化物半导体场效应晶体管(36)、高压纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(37)和中高压增强型N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(38)、中高压耗尽型N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(39),其特征在于,所述低压增强型N型金属氧化物半导体场效应晶体管(35)、所述低压耗尽型N型金属氧化物半导体场效应晶体管(36)和所述中高压增强型N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(38)、所述中高压耗尽型N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(39)均位于第一P型掺杂阱(3),所述低压增强型N型金属氧化物半导体场效应晶体管(35)、所述低压耗尽型N型金属氧化物半导体场效应晶体管(36)、所述中高压增强型N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(38)、所述中高压耗尽型N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(39)和所述高压纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(37)之间采用自隔离结构。
【页数】: 16
【主分类号】: H01L27/092
【专利分类号】: H01L27/092;H01L21/8236;H01L21/8238

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