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制备自我对准隔离区的方法

制备自我对准隔离区的方法

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资料描述

【申请号】: CN201110199311.1
【申请日】: 2011-07-14
【公开号】: CN102386191A
【公开日】: 2012-03-21
【申请人】: 台湾积体电路制造股份有限公司
【地址】: 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
【共同申请人】:
【发明人】: 傅士奇;曾凯;吕文祯
【国际申请】:
【国际公布】:
【进入国家日期】:
【专利代理机构】: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019
【代理人】: 寿宁;张华辉
【分案原申请号】:
【国省代码】: 71
【摘要】: 本发明是有关于一种制备自我对准隔离区的方法,其制备多个自我对准隔离区于一基材上的二个邻近感测元件间,以降低邻近感测元件间的串音(Cross-talk)(或散辉现象(Blooming))。此些方法使用氧化物植入掩膜,来形成深掺杂区且也形成浅掺杂区。在一些实施例中,浅掺杂区较窄,并且是藉由沉积共形的介电层在氧化物植入掩膜上方,来窄化用以植入的开口而形成。
【主权项】: 一种制备自我对准隔离区的方法,其特征在于其制备多个自我对准隔离区于一基材上的二邻近感测元件间,以降低该些邻近感测元件的串音,该制备自我对准隔离区的方法包括以下步骤:图案化一氧化层,以形成具有一开口的一氧化物植入掩膜,该开口是位于该基材上的该些邻近感测元件之间;进行一第一植入,以形成一深掺杂区于该些邻近感测元件之间,该第一植入是由与该基材的一上表面的下方相距一距离处开始进行;以及在进行该第一植入后进行一第二植入,以形成一浅掺杂区于该些邻近感测元件之间,其中该深掺杂区和该浅掺杂区是自我对准的,其中该浅掺杂区的一底部和该深掺杂区的一顶部重叠,其中该浅掺杂区和该深掺杂区防止多个电子在该些邻近感测元件间流动。
【页数】: 21
【主分类号】: H01L27/146
【专利分类号】: H01L27/146;H01L21/76;H01L21/761

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    【地址】: 100033 北京市西城区金融大街21号
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    【国际公布】:
    【进入国家日期】:
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