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BiCMOS工艺中的寄生PIN器件组合结构及制造方法

BiCMOS工艺中的寄生PIN器件组合结构及制造方法

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  • 商品货号:INFOEACH_62
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资料描述

【申请号】: CN201010270116.9
【申请日】: 2010-08-31
【公开号】: CN102386183A
【公开日】: 2012-03-21
【申请人】: 上海华虹NEC电子有限公司
【地址】: 201206 上海市浦东新区川桥路1188号
【共同申请人】:
【发明人】: 钱文生;胡君;刘冬华
【国际申请】:
【国际公布】:
【进入国家日期】:
【专利代理机构】: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211
【代理人】: 丁纪铁
【分案原申请号】:
【国省代码】: 31
【摘要】: 本发明公开了一种BiCMOS工艺中的寄生PIN器件组合结构,寄生PIN器件组合结构是由多个寄生PIN器件并联而成,各寄生PIN器件包括一N型区、一I型区、一P型区。N型区由形成于浅沟槽隔离底部的一N型赝埋层组成。I型区由形成于有源区中的N型集电极注入区组成。P型区由形成于有源区表面上本征基区外延层并进行外基区注入组成。各寄生PIN器件的N型区都扩散进入有源区并实现互相连接,从而实现多个寄生PIN器件并联。本发明还公开了一种BiCMOS工艺中的寄生PIN器件组合结构的制造方法。本发明能够降低器件的插入损耗、衬底电流、增加器件的正向电流,具有较高的器件隔离度,无需额外的工艺条件就可以实现为电路提供多一种器件选择。
【主权项】: 一种BiCMOS工艺中的寄生PIN器件组合结构,其特征在于:寄生PIN器件组合结构是由多个寄生PIN器件并联而成,各所述寄生PIN器件形成于一P型硅衬底上,有源区通过浅沟槽隔离氧化层进行隔离,各所述寄生PIN器件包括:一N型区,由形成于所述浅沟槽隔离氧化层底部并横向延伸进入所述有源区的一N型赝埋层组成,通过在所述浅沟槽隔离氧化层中做接触孔并填入金属引出所述N型区;一I型区,是由形成于有源区中的N型集电极注入区组成,和延伸入所述有源区的所述N型区相接触;一P型区,由形成于所述有源区表面上的掺有P型杂质的本征基区外延层组成,和所述I型区相接触,所述P型区通过在其上部形成一金属接触引出;各所述寄生PIN器件的N型区都扩散进入所述有源区并实现各相邻的所述寄生PIN器件间的互相连接,从而实现由多个寄生PIN器件并联而成的所述寄生PIN器件组合结构。
【页数】: 10
【主分类号】: H01L27/06
【专利分类号】: H01L27/06;H01L21/8249;H01L21/265;H01L21/762

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