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在分立的功率MOS场效应管集成传感场效应管的器件及方法

在分立的功率MOS场效应管集成传感场效应管的器件及方法

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  • 商品货号:INFOEACH_63
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资料描述

【申请号】: CN201110200041.1
【申请日】: 2011-07-06
【公开号】: CN102386182A
【公开日】: 2012-03-21
【申请人】: 万国半导体股份有限公司
【地址】: 美国加利福尼亚桑尼维尔奥克米德公园道475号
【共同申请人】:
【发明人】: 苏毅;安荷·叭剌
【国际申请】:
【国际公布】:
【进入国家日期】:
【专利代理机构】: 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249
【代理人】: 张静洁;徐雯琼
【分案原申请号】:
【国省代码】: US
【摘要】: 本发明涉及在不增加掩膜层以及制备工艺程序的数量的前提下,提供的一种在一个分立的功率MOS场效应管内集成一个或多个传感场效应管的功率器件及其制备方法。该半导体器件包含一个主场效应管以及一个或多个传感场效应管;传感场效应管的晶体管部分被主场效应管的晶体管包围着;包围主场效应管的电绝缘结构,使主场效应管的源极和本体区,与传感场效应管的源极和本体区电绝缘。传感场效应管源极垫位于主场效应管的边缘处,并与传感场效应艿木骞懿糠址指艨淮谐⌒в茉醇嫱ü谐⌒в芴秸虢鹗?连接到传感场效应管的晶体管部分;配置绝缘结构,使传感场效应管的晶体管部分以及传感场效应管源极垫位于主场效应管的有源区外部。
【主权项】: 一种半导体器件,其特征在于,包含:一个含有源极、本体和栅极的主场效应管;一个含有源极、本体和栅极的传感场效应管,其中传感场效应管的晶体管部分被主场效应管的晶体管包围,并位于主场效应管的晶体管附近;一个位于半导体器件边缘处的传感场效应管源极垫,其中传感场效应管源极垫与传感场效应管的晶体管部分分开,并通过传感场效应管探针金属,连接到传感场效应管的晶体管部分;以及一个电绝缘结构,使主场效应管的源极和本体区与传感场效应管的源极和本体区电绝缘,其中主场效应管、传感场效应管以及电绝缘结构形成在一个单独的半导体晶片中,通过配置绝缘结构使传感场效应管的晶体管部分以及传感场效应管源极垫位于主场效应管的有源区外部,其中半导体器件是一个分立的垂直场效应管。
【页数】: 36
【主分类号】: H01L27/02
【专利分类号】: H01L27/02;H01L29/78;H01L21/82

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