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半导体存储器器件及其制造方法

半导体存储器器件及其制造方法

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  • 商品货号:INFOEACH_67
  • 商品品牌:中国发明专利
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资料描述

【申请号】: CN201010254185.0
【申请日】: 2010-08-16
【公开号】: CN102376711A
【公开日】: 2012-03-14
【申请人】: 苏州东微半导体有限公司
【地址】: 215123 江苏省苏州市工业园区星湖街218号纳米科技园C2组团201室
【共同申请人】:
【发明人】: 刘磊;王鹏飞;刘伟
【国际申请】:
【国际公布】:
【进入国家日期】:
【专利代理机构】:
【代理人】:
【分案原申请号】:
【国省代码】: 32
【摘要】: 本发明公开了一种半导体存储器器件,它包括至少一个半导体衬底、一个源极、一个漏极、一个浮栅区、两个控制栅极以及一个用于连接所述浮栅区与衬底的栅控p-n结二极管。所述的半导体存储器器件,用浮栅区存储信息,并通过所述栅控p-n结二极管对浮栅区进行充电或放电。进一步地,本发明还公开了上述半导体存储器器件的制造方法,采用自对准工艺制造,工序简单且稳定,而且,本发明采用平面的沟道结构,可以兼容逻辑器件和闪存器件的制造。
【主权项】: 一种半导体存储器器件,至少包括:一个具有第一种掺杂类型的半导体衬底;在所述半导体衬底上形成的具有第二种掺杂类型的源区和漏区;其特征在于,还包括:在所述半导体衬底内形成的介于所述源区与漏区之间的沟道区域;在所述沟道区域之上形成的第一层绝缘薄膜;在所述第一层绝缘薄膜之上形成的一个作为电荷存储节点的具有导电性的浮栅区;在所述漏区与所述浮栅区之间形成的一个p?n结二极管;在所述浮栅区之上形成的第二层绝缘薄膜;在所述第二层绝缘薄膜之上形成的控制栅极,该控制栅极与所述浮栅区和第二层绝缘薄膜共同构成所述半导体存储器器件的字线;在所述字线的两侧分别形成的第三绝缘层和导体侧墙,其中一个靠近漏区的导体侧墙可以控制所述的漏区与浮栅区之间的p?n结二极管的电流,并组成栅控二极管,所述导体侧墙成为所述栅控二极管的栅极;以及以导电材料形成的用于将所述源区与所述漏区与外部电极相连接的源区的接触体和漏区的接触体。
【页数】: 20
【主分类号】: H01L27/10
【专利分类号】: H01L27/10;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/8249

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