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半导体器件

半导体器件

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  • 商品货号:INFOEACH_69
  • 商品品牌:中国发明专利
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资料描述

【申请号】: CN201110241326.X
【申请日】: 2011-08-17
【公开号】: CN102376709A
【公开日】: 2012-03-14
【申请人】: 株式会社电装;丰田自动车株式会社
【地址】: 日本爱知县
【共同申请人】:
【发明人】: 小山雅纪;大仓康嗣;添野明高;永冈达司;杉山隆英;青井佐智子;井口紘子
【国际申请】:
【国际公布】:
【进入国家日期】:
【专利代理机构】: 永新专利商标代理有限公司 72002
【代理人】: 陈松涛;夏青
【分案原申请号】:
【国省代码】: JP
【摘要】: 在一种半导体器件中,IGBT单元(10)包括穿过半导体衬底(32)的基底层(31)到达半导体衬底(32)的漂移层(30)的沟槽(35),沟槽(35)内表面上的栅极绝缘膜(36),栅极绝缘膜(36)上的栅极电极(37a),基底层(31)表面部分中的第一导电类型的发射极区(38),以及基底层(31)表面部分中第二导电类型的第一接触区(39)。IGBT单元还包括设置于基底层(31)之内的第一导电类型的浮置层(40),以将基底层(31)分成包括发射极区(38)和第一接触区(39)的第一部分以及与漂移层(30)相邻的第二部分,以及被设置成覆盖栅极电极(37a)的末端的层间绝缘膜(41)。二极管单元(20)包括基底层(31)的表面部分中的第二导电类型的第二接触区(42)。
【主权项】: 一种半导体器件,包括:半导体衬底(32),所述半导体衬底(32)包括第一导电类型的漂移层(30)和设置于所述漂移层(30)上的第二导电类型的基底层(31),所述漂移层(30)的与所述基底层(31)相对的表面界定所述半导体衬底(32)的第一表面(33),所述基底层(31)的与所述漂移层(30)相对的表面界定所述半导体衬底(32)的第二表面(34);第二导电类型的集电极层(45),与所述半导体衬底(32)的所述第二表面(34)相邻设置;第一导电类型的阴极层(46),在与所述集电极层(45)相同的水平面上,与所述半导体衬底(32)的所述第二表面(34)相邻设置;以及集电极电极(47),设置于所述集电极层(45)和所述阴极层(46)上,其中所述半导体衬底(32)的相对于沿所述第一表面(33)的方向包括所述集电极层(45)的区段构成IGBT单元(10),作为IGBT元件工作,所述半导体衬底(32)的相对于沿所述第一表面的方向包括所述阴极层(46)的区段构成二极管单元(20),作为二极管元件工作,其中所述IGBT单元(10)包括:穿过所述基底层(31)并到达所述漂移层(30)的沟槽(35);设置于所述沟槽(35)的内表面上的栅极绝缘膜(36);设置于所述沟槽(35)之内的栅极绝缘膜(36)上的栅极电极(37a);设置于所述基底层(31)的表面部分中的第一导电类型的发射极区(38),所述发射极区(38)接触所述基底层(31)之内的所述沟槽(35)的侧表面;设置于所述基底层(31)的表面部分中的第二导电类型的第一接触区(39);相对于所述沟槽(35)的深度,在比所述发射极区(38)和所述第一接触区(39)更深的位置设置于所述基底层(31)之内的第一导电类型的浮置层(40),所述浮置层(40)将所述基底层(31)分成第一部分以及第二部分,所述第一部分包括所述发射极区(38)和所述第一接触区(39),所述第二部分与所述漂移层(30)相邻;以及被设置成覆盖栅极电极(37a)的末端的层间绝缘膜(41),所述二极管单元(20)包括设置于所述基底层(31)的表面部分中的第二导电类型的第二接触区(42),并且所述IGBT单元(10)和所述二极管单元(20)还包括电连接到所述发射极区(38)、所述第一接触区(39)和所述第二接触区(42)的发射极电极(43)。
【页数】: 46
【主分类号】: H01L27/06
【专利分类号】: H01L27/06;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/861;H01L29/739

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