当前位置: 首页 > 中国专利 > 中国发明专利 > 半导体集成电路装置
半导体集成电路装置
专利资料网 / 2018-07-19
【申请号】: CN201110196293.1
【申请日】: 2011-07-12
【公开号】: CN102376704A
【公开日】: 2012-03-14
【申请人】: 三美电机株式会社
【地址】: 日本东京都
【共同申请人】:
【发明人】: 井上文裕
【国际申请】:
【国际公布】:
【进入国家日期】:
【专利代理机构】: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243
【代理人】: 许静;郭凤麟
【分案原申请号】:
【国省代码】: JP
【摘要】: 本发明的目的在于提供一种半导体集成电路装置,其充分抑制从数字电路向模拟电路的噪声混入。该半导体集成电路装置,分离为形成数字电路的数字电路区域和形成模拟电路的模拟电路区域,将模拟电路区域分离为形成模拟电路的有源元件的有源元件区域和形成模拟电路的无源元件的无源元件区域,将无源元件区域配置在与数字电路区域相邻的区域中,将有源元件区域配置在远离数字电路区域的区域中,在该半导体集成电路装置中,在无源元件区域的半导体衬底中形成与半导体衬底的导电型不同的第一导电型的第一阱,在第一阱内形成与第一阱的第一导电型不同的第二导电型的第二阱,在第二阱上隔着元件隔离膜布设了无源元件。
【主权项】: 一种半导体集成电路装置,其在一个半导体衬底上形成有数字电路和模拟电路,分离为形成所述数字电路的数字电路区域和形成模拟电路的模拟电路区域,将所述模拟电路区域分离为形成所述模拟电路的有源元件的有源元件区域和形成所述模拟电路的无源元件的无源元件区域,将所述无源元件区域配置在与所述数字电路区域相邻的区域中,将所述有源元件区域配置在远离所述数字电路区域的区域中,该半导体集成电路装置的特征在于,在所述无源元件区域的半导体衬底中形成与所述半导体衬底的导电型不同的第一导电型的第一阱,在所述第一阱内形成与所述第一阱的第一导电型不同的第二导电型的第二阱,在所述第二阱上隔着元件隔离膜布设了无源元件。
【页数】: 15
【主分类号】: H01L27/02
【专利分类号】: H01L27/02

关键字:

用户评论(共0条评论)

  • 暂时还没有任何用户评论
总计 0 个记录,共 1 页。 第一页 上一页 下一页 最末页
用户名: 匿名用户
E-mail:
评价等级:
评论内容: